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       有數(shù)字電路設(shè)計(jì)和硬件描述語言的基礎(chǔ)或自學(xué)過相關(guān)課程。

        1、培訓(xùn)過程中，如有部分內(nèi)容理解不透或消化不好，可免費(fèi)在以后培訓(xùn)班中重聽；
        2、培訓(xùn)結(jié)束后免費(fèi)提供半年的技術(shù)支持，充分保證培訓(xùn)后出效果；
        3、培訓(xùn)合格學(xué)員可享受免費(fèi)推薦就業(yè)機(jī)會(huì)。

第一部分

由于CMOS工藝日益完善，并具有高集成度、低成本、低功耗與數(shù)模兼容等特點(diǎn)，已成為當(dāng)前集成電路的主要工藝；

CMOS器件，單元電路，CMOS運(yùn)放的原理與設(shè)計(jì)技術(shù)，并介紹低電壓、低功耗、高速運(yùn)放的設(shè)計(jì)方法。通過該部分學(xué)習(xí)，使學(xué)員掌握CMOS模擬電路的基本設(shè)計(jì)技能。

第二部分 高性能CMOS模擬電路的設(shè)計(jì)技術(shù)：

這部分主要介紹高性能A/D，∑△A/D，PLL，SC等電路原理及設(shè)計(jì)技術(shù)，并提供當(dāng)前主要研究成果以及發(fā)展方向。
本課程采用當(dāng)前權(quán)威的CMOS模擬集成電路設(shè)計(jì)教材，并結(jié)合實(shí)際情況，介紹與交流CNOS模擬集成電路的實(shí)際設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)與新的研究成果。

第3部分 高性能cmos運(yùn)算放大器
7.1 緩沖運(yùn)算放大器
7.2 高速/高頻cmos運(yùn)算放大器
7.3 差分輸出運(yùn)算放大器
7.4 微功耗運(yùn)算放大器
7.5 低噪聲運(yùn)算放大器
7.6 低電壓運(yùn)算放大器
7
實(shí)驗(yàn)

第4部分 比較器
8.1 比較器的特性
8.2 兩級(jí)開環(huán)比較器
8.3 其他開環(huán)比較器
8.4 開環(huán)比較器性能的改進(jìn)
8.5 離散時(shí)間比較器
8.6 高速比較器

實(shí)驗(yàn)

第5部分 開關(guān)電容電路
9.1 開關(guān)電容電路
9.2 開關(guān)電容放大器
9.3 開關(guān)電容積分器
9.4 兩相開關(guān)電容電路的z域模型
9.5 一階開關(guān)電容電路
9.6 二階開關(guān)電容電路
9.7 開關(guān)電容濾波器

實(shí)驗(yàn)

第6部分 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.1 數(shù)模轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)介及特性
10.2 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器
10.3 并行數(shù)模轉(zhuǎn)換器分辨率的擴(kuò)展
10.4 串行數(shù)字模擬轉(zhuǎn)換器
10.5 模數(shù)轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)介和特性
10.6 串行模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.7 中速模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.8 高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器
10.9 過采樣轉(zhuǎn)換器

實(shí)驗(yàn)

一、集成電路EMC技術(shù)概論
1.1、何謂集成電路EMC設(shè)計(jì)
1.2、集成電路EMC標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范
1.3、EMC的效費(fèi)比-EMC介入時(shí)間與成本的關(guān)系
1.4、電磁兼容設(shè)計(jì)與抗電磁騷擾的區(qū)別
1.5、集成電路的EMC設(shè)計(jì)管理

二、IC版圖設(shè)計(jì)中的EMC/EMI問題
2.1、版圖設(shè)計(jì)
2.2、版圖舉例: ?I噪聲電流/瞬態(tài)負(fù)載電流/?I噪聲電壓
2,3、版圖舉例: 差模騷擾/共模騷擾
2.4、版圖舉例: 傳導(dǎo)騷擾耦合
2.5、版圖舉例: 共阻抗騷擾耦合
2.6、版圖舉例: 共電源阻抗耦合
2.7、版圖舉例: 感應(yīng)騷擾耦合/串?dāng)_
2.8、版圖舉例: 輻射騷擾耦合/非閉合載流電路/閉合載流電路
2.9、版圖舉例: 敏感度特性/耦合途徑

三、IC版圖EMC設(shè)計(jì)
3.1、減小版圖互連線路走線的阻抗
3.2、版圖布局和布線的準(zhǔn)則：
1)、低頻布線取短距離(小電阻)；
2)、高頻布線取小環(huán)路面積(小阻抗);
3)、布局與不兼容分割
3.3、版圖中電源網(wǎng)格/地線網(wǎng)格,電源總線/信號(hào)總線和接地設(shè)計(jì)準(zhǔn)則
3.4、層次化結(jié)構(gòu)和多金屬層設(shè)計(jì)與應(yīng)用/金屬距離和密度
1)、層疊設(shè)計(jì),層數(shù)和大小的選擇
2)、2W原則
3)、傳輸延遲和特性阻抗及阻抗匹配
4)、信號(hào)完整性的含義
5)、信號(hào)完整性問題
6)、IC設(shè)計(jì)中的串?dāng)_
3.5, ESD電路分析
1)、新ESD技術(shù)減小IC的I/O尺寸
2)、深亞微米CMOS芯片ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
3)、電路實(shí)例

四、IC地線設(shè)計(jì)
4.1、接地系統(tǒng)
4.2、IC中的接地

五、IC中的屏蔽設(shè)計(jì)
5.1、屏蔽材料與厚度的選擇和屏蔽效能的計(jì)算
5.2、IC中的屏蔽

六、濾波設(shè)計(jì)
6.1、濾波器的種類
6.2、如何選擇濾波器的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)
6.3、如何計(jì)算濾波器的插入損耗與頻率特性

七、成功IC版圖舉例
7.1、電源電壓檢測(cè)電路版圖設(shè)計(jì)
7.2、利用CADENCE IC Craftsman自動(dòng)布局布線
7.3、SuperV芯片的版圖優(yōu)化
7.4、Ledit版圖設(shè)計(jì)軟件
7.5、門級(jí)ASIC的分層物理設(shè)計(jì)

八、集成電路設(shè)計(jì)軟件
8.1、Cadence RF設(shè)計(jì)Kits(錦囊)
8.2、CADENCE:SiP IC設(shè)計(jì)主流化
8.4、用于 RFIC設(shè)計(jì)的Calibre驗(yàn)證
8.5、LCoS(Liquid-Crystal-On-Silicon) 顯示芯片
8.6、CMOS 器件版圖 DUMMY 圖形

九、掌握IC封裝特性抑制EMI
9.1、DIP
9.2、芯片載體封裝
9.3、方型扁平封裝（Quad Flat Package）
9.4、BGA封裝
9.5、CSP封裝
裸芯片組裝
9.7、倒裝芯片(Flip Chip)(簡(jiǎn)稱:FC)
9.8、多芯片模塊
9.9、系統(tǒng)芯片（SOC）

十、集成電路EMC標(biāo)準(zhǔn)與試驗(yàn)方法
IEC62132標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法：
IEC62132標(biāo)準(zhǔn)：集成電路電磁抗擾度
通用條件和定義；
輻射抗擾度測(cè)量方法--橫電磁波室法（TEM Cell）；
傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量方法--電流注入法（BCI）；
傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量方法--直接激勵(lì)注入法（DPI）；
傳導(dǎo)抗擾度測(cè)量方法--WFC（Workbench Faraday Cage）法。
10.2、IEC61967標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法：
IEC61967標(biāo)準(zhǔn)：集成電路電磁發(fā)射
通用條件和定義；
輻射發(fā)射測(cè)量方法--橫電磁波室法（TEM Cell）
輻射發(fā)射測(cè)量方法--表面掃描法；
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法--1Ω/150Ω直接耦合法；
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法--WFC (Workbench Faraday Cage）方法；
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量方法--探針法。

專題一、綜合及DFT/ATPG/BSD

主要講解：
（1）電路綜合的不同方法
（2）DFT的D算法和機(jī)制
（3）DC工具推薦的DFT strategy及其具體應(yīng)用
（4）數(shù)模混合電路ATPG的產(chǎn)生方法
（5）基于加入BSD/BIST的ATPG方法

專題二、電路設(shè)計(jì)中的異步問題

主要講解跨時(shí)鐘電路在設(shè)計(jì)中出現(xiàn)的各種情況，
以及通過實(shí)踐案例介紹應(yīng)對(duì)處理的方法并介紹跨時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)中工具檢查的方法。

專題三、CDC 檢查和 Spyglass

1)Spyglass介紹
2）CDC問題類型
3）Flat/Hierarichal flow using ip_block constraint
3）CDC流
4）CDC調(diào)試

專題四、低功耗設(shè)計(jì)

1、低功耗電路設(shè)計(jì)要點(diǎn)
2、自動(dòng)化的低功耗設(shè)計(jì)方法(upf)
3、電路功耗的分析和評(píng)估